米Freescale Semiconductor社と米Photoronics社は、共同で開発している超解像技術（RET：Resolution
Enhancement Technique）の進捗を発表した。ユーザは標準的なバイナリマスクを使用し従来の露光装置で今まで以上の解像度を得ることができるという。両社は2004年12月に正式に共同開発の契約を締結し、以来65nmプロセスのために最先端のマスクを準備し、共同でさまざまなRET技術について調査している。
この共同開発の目的は、既存の露光装置を延命するのに最も良い方法を見つけることにある。Freescaleは代表的なパターンと分析技術、ウェーハへの露光、およびデータ分析を提供し、Photoronicsはテストマスクを提供するとともにマスク製造技術を担当する。研究の目標は、さまざまなRET技術の商業的なメリットを評価するために、マスク製造技術を最適化し総合的にRETマスクの製造性を見極めることにある。
「チップ全体のCD制御技術が注目される」とFreescaleのAdvanced Products Research and Development LaboratoryのシニアテクニカルフェローJoe Mogab氏は述べている。
研究者は、RET技術を比較するため、6％のハーフトーン型位相シフトマスク（attPSM）、補助パターンを用いたComplementary PSM（CPSM）、およびCrレス位相シフトマスク（CPL）を比較し、Freescaleの65nmノードに必要な技術の検証を行ったところ、これらの技術にいくつかの違いがあることが分かったという。
