Current Issue 2005年12月号

..2005年12月号


	Cu配線に CoWPを導入するメリット
	Cu配線の上部にCoWPのようなCoを含有した化合物を選択的に成膜させると、エレクトロマイグレーション（EM:Electromigration）耐性を劇的に改善できる。また、誘電体のエッチストップ層をなくせる可能性があり、上層の誘電体の実効k値を改善できる。



	マーケティング力で差がついた日本版編集ディレクター津田建二


	Ultra Low-k導入の鍵を握るポアシーリング技術
	45nmプロセス向け高性能Cu電解めっき
	HARコンタクトホール底を観察
	高生産性ALD向け高速スイッチングバルブ
	フリップチップ技術の挑戦高速化、低価格化、Pbフリーという壁


	IBM/Charteredが共通のDFMプラットフォームを構築技術情報やノウハウをすべて共有化しプロセス開発や技術移転の効率化を実現


	らせん構造が新しいデバイス材料に応用
	FUSI NiSiゲートで新記録達成
	自己組織化レジストでCD制御とLERを改善
	Pbフリーが脆性破壊の問題を明らかに
	32nmノード以降に求められる計測装置の能力（Part 2）
	次の微細化に向けての熱電冷却技術


	SEMIジャパン代表熊谷多賀史氏


	12月号 Products Preview