新たに改訂された国際半導体ロードマップ（ITRS：International Technology Roadmap for Semiconductors）の目標の1つは、性能向上やコスト低減を行うために半導体業界が克服すべき重要な課題を特定することだ。各テクノロジーワーキンググループで「困難な課題」を挙げているが、その中でも特に「重要な課題」がITRSでとりあげられる。
例えば、平坦なバルクCMOSのスケーリングは大きな問題に直面するとITRSは報告している。短チャネル効果を制御するために高濃度のチャネルドーピングが要求される。一方で、それが正孔移動度の減少やドレイン電流の低下を引き起こし、接合部にまたがる領域でトンネル効果やゲートからのドレインリークを増大させることになる。さらに、チャネル不純物の変動によりしきい値電圧のばらつきが増大するため、回路設計において供給電圧のスケーリングが困難になる。極薄ボディ構造や完全空乏型SOI（FD-SOI：Fully Depleted Silicon On Insulator）、マルチゲートMOSFET（例えばFinFET）のような新しい構造が製造に適用されていくことが見込まれている。これを適用するには数多くの新しい困難な課題を伴う。特に困難な課題となるのは変動しやすい極薄ボディの膜厚制御だ。この問題を解決するには、回路設計や構造の改善と併せて検討を進め、特に電力消費を管理しなければならない。
