≧32nm	問題の概要
超解像技術を伴う光学マスクおよび光学マスク以降のマスク製造	位置決め、CDおよび欠陥制御；アシストパターン機能に対応した装置インフラ；偏光効果およびマスクトポグラフィへの影響；露光中の進行的欠陥およびHaze欠陥の排除；ArFレーザーにおけるhp45nm以下での最適マスク倍率の決定および補正方法の開発；無欠陥等倍テンプレートの開発
コスト管理および投資利益率（ROI）	安定し改善された装置コストおよびスループットの達成；費用対効果の高い位相シフトマスクおよび次世代マスクの開発；複数技術の開発が可能なリソース；小量生産でのROI；450mmウェーハ用の装置開発
プロセスコントロール	4nm（3σ）以下のゲートCD値を制御するプロセス；重ね合わせエラー11nm（3σ）以下の新しいもしくは改善されたアライメントおよびオーバーレイ制御法；LER（Line Edge Roughness）制御、計測および50nm以下の欠陥によるCD変化、レジストシミュレーションモデルの精度向上；OPCおよびOPC検証の精度向上(特に偏光効果への対応)；露光装置のフレア制御および補正(特にEUVLで重要)；リソグラフィ容易化設計技術およびDFMの開発
液浸リソグラフィ	液浸環境によって起こる欠陥制御；液体またはトップコートとレジストの互換性およびトップコート開発；n>1.8のレジスト；n>1.65の液体；n>1.65の光学系材料の開発
EUVリソグラフィ	低欠陥マスクブランク；変換効率を向上し集光系の寿命を確保しながら、電源出力をIFで115W以上にする；<:10mJ/cm2の感度および< hp 40nm以下の分解能でLWR（Linewidth Roughness）を3nm（3σ）以下に抑えたレジスト；0.10nm未満のRMSエラーおよび10％未満のフレアの光学系の製造；光学汚染制御；薄膜なしのマスク保護；光学リソグラフィとのミックス&マッチ