Current Issue 2006年6月号

..2006年6月号


	不揮発性メモリーにおける歪みエンジニアリング
	不揮発性メモリーセルに歪み技術を導入させたことにより、トンネルリーク電流を減少させ、メモリーセルのスケーリングが可能になった。


	光学エンジニアがほしい日本版編集顧問津田建二


	High-k膜の選択的な除去が可能なウェットエッチング液の製法を特定
	パルスI-VでHigh-k膜のチャージトラッピング現象を評価する
	RoHS指令施行へのファイナルカウントダウン世界各国の有害物質規制の法制化とPbフリー技術の最新動向


	日本の半導体産業復活の道を探る第1回 SIJブレインストーミングから　Part2


	NECが新しいSiナノフォトニクスを開発
	Intelが45nm SRAMを試作
	F₂リソグラフィの次はEUVリソグラフィか!?
	32nm以降も高屈折率レンズの液浸リソグラフィで対応可能
	欠陥低減技術が液浸リソグラフィを加速
	スイスアーミーナイフ方式との決別？
	Snウィスカ
	櫛型コンデンサでRFボンディングパッドのリターンロスを低減


	米Rudolph Technologies社会長兼CEO Paul McLaughlin氏


	6月号 New Products