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..2006年10月号


	ナノインプリント・リソグラフィ：32nmをめぐる攻防
	デュアルダマシン構造のLow-k絶縁膜にビアとトレンチの両方を1ステップでパターンニングし、それによって123のプロセスステップを減らせることを想像してみて欲しい。ナノインプリント・リソグラフィはこれを可能にする。しかも低コストで、解像度の制限もない。


	日本半導体メーカー復活ののろし日本版編集長高橋潤
	製造コストで大きく差がついた日台日本版編集顧問津田建二


	先端マスクにおける設計からのライン/スペースを混同しないCD計測法
	歩留りに大きく影響するDRAM構造の欠陥モニタリング



	ソニーがCu/ULK（k=2.0）配線の実行可能性を実証
	製造技術が日本の強み、カギはDFMと三次元実装技術半導体エグゼクティブフォーラム「未来を拓く新ビジネス戦略」より


	磁気が高温超伝導のカギ
	メタルゲート導入への新しいアプローチ
	日立と日立化成、次世代メモリー向けUltra Low-k膜を開発
	高屈折率液浸が勝者とは限らない
	進むEUV開発、AlbanyとIMECにフルフィールドEUV露光装置が導入
	TSMCとUMCによる新たなる65nm DFM ソリューション
	SierraとMentorのLitho-Friendly Design共同作業
	AFM、SEM、OCDツールをキャリブレートする線幅基準
	チップパッケージ協調設計の取り組みは続く


	天の時、地の利、人の和、力を蓄え機を待つLinde


	10月号 New Products