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..2006年11月号
3D-IC完成に向け準備が整ったディープSiエッチング技術
三次元配線には、均一なプロファイルを持ち、ウェーハ間の再現性が高く、さらに高い生産性を実現できる頑強なSi貫通ビアエッチング装置が必要となる。
錯綜する次世代トランジスタの姿
日本版 編集長
高橋 潤
国家プロジェクトでは競争力はつかない
日本版 編集顧問
津田建二
パッケージングに欠かせないインクジェット技術
ミリ秒単位のアニーリングでパターン密度への依存性を最小化
ナノテクが徐々に半導体製造を強化する
厚膜レジスト用途向け全面一括露光リソグラフィ・システムの性能を向上
MEMS向けエッチング技術に求められる条件
アナリストが景気の下降を予期
歪みSiでpMOSFETの移動度を200％向上
FeRAM向けの新材料を開発
超臨界の適用で広がる新しい半導体プロセスの世界
特殊なアプリによる露光装置の新しい活用法
液浸、EUVとは異なったリソグラフィ技術の潮流
オゾン洗浄でトンネル酸化膜が向上
収差補正STEMが新たな可能性を切り開
ファブレスが組織するFSAがSiPの設計要求を議論
>> SIJテクニカルセミナーレポート
SiPで高性能デバイスの新しいビジネスモデルを創出
第17回 マイクロマシン展
−超精密・微細加工、MEMS、
ナノテク、バイオに関する国際展示会−
MEMSの開発は競争するより協力する方がメリットがある
東北大学大学院研究科ナノメカニクス専攻
教授　江刺 正喜 氏
MEMSが日本の製造業の基幹部品として
国際競争力の強化につながる
財団法人 マイクロマシンセンター
専務理事　青柳 桂一 氏
11月号 New Products