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2006年11月号
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FeRAM向けの新材料を開発 |
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| Peter Singer |
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東京工業大学と富士通は次世代のFeRAM用材料を共同開発した。これはビスマスフェライト(BiFeO3またはBFO)の組成を変化させたもので、記憶保持能力はFeRAM現行材料の5倍である。
富士通によると、この新FeRAMは、180nmプロセスを使ったFeRAM生産に使用されるものと似たデバイス構造にあるBFOベースの材料を使って、同社の65nmプロセス技術で生産できるという。FeRAMは最高で256Mビットの大容量メモリーを可能にする。
BFOはビスマス、鉄、酸素原子から成り、ペロブスカイト構造を持つ。チタン酸ジルコン酸鉛(PZTまたはPb(Zr,Ti)O3)は強誘電体材料として使われているが、電荷蓄積能力が低いので微細化にも限りがある。PZTは2009年にも130nmノードで技術的限界に達するとみられている。なぜなら、セル面積が縮小すれば高い分極量が必要となるからだ。
マンガンがドープされたBFO薄膜キャパシタは、リーク電流が低減し、残留分極量の2倍に等しいスイッチング電荷(Qsw)180〜220μC/cm2を実現。将来のテクノロジーノードに向けた微細化の可能性が広がったことを示している。 |
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