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次世代リソグラフィ技術の開発では、Intelは引き続きEUVリソグラフィ技術開発を推進し、開発を加速させている。ISMTに加えて、米Albany Nanotech、ベルギーIMEC、日本のEUVAもEUVの開発を進めている。一方でその他のメーカーは、高屈折液体や光学系、レジストによるArF液浸技術の延命に期待している。さらに、台湾TSMC社は、液浸リソグラフィを22nmまで拡張しそれ以降はマルチ電子ビーム(EB)によるウェーハ直描が取って代わると考えている。TSMCのようにファウンドリとして超多品種の混合生産を推進していくためには、高騰するマスクコストへの対応策を早急に見つけださなければならない。
EB直描技術に対しては、国内装置メーカーが開発を進めていたが、その全容は見えていなかった。さらに装置メーカー単独では、量産に対応できるマルチビームのEB直描装置を完成させるのは難しいとの指摘もある。ここで気になっていたのが日本の半導体メーカーの動向だった。日本の半導体メーカーは32nm以降でどのようなICをどのくらいのボリュームで生産することを考えており、そしてどの技術を選択していくつもりなのか。ここではビジネスモデルまでも含めて、早急に答えをださなければならない。
ここにきて富士通とアドバンテストは、65/45nmプロセス技術とEB露光装置とを組み合わせたEB直描技術を活用し、半導体の試作を行う合弁会社を設立することで合意したと発表した。11月に新会社を設立する予定で協議中としている。この合弁会社では、富士通の先端半導体プロセス技術とアドバンテストが開発・製造するEB露光装置とを組み合わせて300mmウェーハで65nmプロセスの実用化を目指す。また、合弁会社では開発する技術を活用し、2007年度に65nmプロセスの試作サービス(シャトルサービス)の提供を開始し、さらに将来的には45nmプロセスにも対応させる予定だという。
線幅15nmの直描を実現するディップペン・ナノリソグラフィが登場
ディップペン・ナノリソグラフィ(DPN：Dip Pen Nanolithography)は、原子間力顕微鏡(AFM)のプローブをペンのように用いて分子をインクとして使用し、安定したナノスケールのパターンをサンプル基板上に描画する事ができる。DPNは、DNA、プロテイン、ポリマー、レジスト、ポリマー、メタル多種多様な素材をインクとして使用し、数μmから最小線幅15nmの解像度を実現できるため、さまざまなアプリケーションでの応用が期待できるとしている。用途としては、半導体、ディスプレイのパターニング、フォトマスクの修正、ナノスケールのテンプレートの作成ができる。
半導体分野においては、レジスト材をインクとして、線幅ナノメートルオーダーの回路パターンを基板上に直接描画したり、フォトマスクの修正に応用が可能。また、バイオ分野では、タンパク質をナノメートル間隔で配置させたテンプレートの作成や、ナノ粒子を付着させた3次元ナノ構造体を作成するなどのナノファブリケーション用ツールとして活用できるとしている。伯東が米Nanoink社と日本国内とアジア地域の販売代理店契約を締結している。 |
