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| ●EB露光装置 |
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F3000は、アドバンテストの65nm以下の回路パターンの描画が可能な300mmウェーハ対応電子ビーム(EB)露光装置。65nm以下の回路パターンをEB直描方式によりマスクを用いない(マスクレス方式)で300mmウェーハ上にパターンを形成する。従来装置に比べ、高解像電子光学系や高信頼性・高稼働率を実現するための機能を向上し、また、高剛性ボディを採用するなどの各種改良を加えたことで露光位置精度および寸法精度は従来比約20％向上した。300mmウェーハ対応で、寸法精度は7nm以下、重ね合わせ精度は20nm以下で最小線幅40nm以下の描画を実現する。露光方式には、ブロック露光方式を採用、ブロック選択個数は100個、ブロック倍率は60倍。ブロック露光では、繰り返しの多いパターン群を抽出したブロック単位でウェーハ上に一括して電子ビームを照射するため、従来のEB直描方式に比べ照射数を大幅に削減し、露光時間を短縮できる。価格は標準仕様で25億円より。 |
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| 連絡先：アドバンテスト www.advantest.co.jp |
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| ●高温レジスト剥離プロセス |
ViPRプロセスは、高温レジスト剥離プロセス。高ドーズインプラされたレジストを、アッシングを用いずウェット処理のみで剥離することができる。ハードウェアにはバッチ式スプレー洗浄システムを使用。多数のウェーハ(200mmで100枚、300mmでは50枚)を一括してプロセスチャンバ内に装填し、中心部から各種薬液を連続的に投射、遠心力を利用して反応後の薬液やリンス水をチャンバ外周部に振り切る。
FEOLゲート工程においては、アッシングによるダメージと伴にSi面の酸化、その後のWET処理によるSiリセス(エッチングロス)が問題視されている。同技術により、高ドーズインプラされたレジストをウェット処理のみで剥離することができる。密閉式チャンバを用いて処理するため、プロセス温度を高温化することが容易であり、従来のSPMプロセスを独自技術でさらに高温化することで、15乗レベル以上の高ドーズインプラレジストを、アッシング処理することなく、剥離することが可能となった。これにより、枚葉洗浄技術と比較しても高いスループットを維持したまま、大部分のアッシング工程削減が可能となり、Si面のリセスやアッシングによるデバイスへのダメージを大幅に軽減する事に成功している。 |
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| 連絡先：エム・エフエスアイ www.mfsi.co.jp |
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