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メタライゼーション装置と
ケミカルドライ前処理装置に注力 |
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アルバック
専務取締役 半導体装置事業本部 本部長
桜田 勇蔵 |
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2006年の半導体装置ビジネスは、対前年比で十数％の成長率であろうとの見方が大半であったが、当社はその予測を大幅に上回る結果となった。
新規設備投資については、国内外の半導体メーカーによって差があるもののDRAM、フラッシュメモリーの好調に支えられて、海外からの受注が急増した。
2007年の半導体市場は、携帯端末や100ドルPCなどに加えて「Windows Vista」が代替需要を喚起するため、メモリー関係やCMOS/CCDセンサーおよび車載デバイス、MEMSが牽引し好調が維持するものと予測している。
現在当社では、微細化に伴い、フロントエンドからバックエンドまでを網羅する、メタライゼーション装置「ENTRON」とケミカルドライ前処理装置「RISE」に最も注力している。
当社では、NAND型フラッシュに代表される大容量ストレージの今後の微細化技術、ケミカルドライクリーニング技術(従来のウェット方式に変わるドライ界面処理)、不揮発性メモリー(PRAM、MRAM、RRAM)、MEMS 3次元実装(薄ウェーハ対応技術)、といった半導体製造技術にも注目している。
今年のSEMICON Japanへ期待することとしては、スローガンの｢Sharing Expertise, Make innovation｣を実現できる場を提供して頂き、日本の半導体産業の発展に貢献して頂きたい。当社の出展概要は、プロセスモジュール、コンポーネント、搬送機器の実機展示、各事業部の主力製品パネル展示。ドライエッチング装置「NE-5700/7800」搭載エッチングモジュールの実機展示。メタライゼーション装置ENTRON搭載の次世代Cu配線向け新型スパッタカソードの展示。この他、太陽電池とMEMSパビリオンを併設する予定である。
2007年以降の市場を睨みながら、今後はさまざまな製品を展開していく。具体的には、「ENTRON EX 300 Cu BM&Seed」(50nmノード以降を睨んだ、特にメモリー向け配線技術。配線材料の変更も念頭においた、低コスト、高生産性を提供)、「ENTRON EX W300 Gate Stack」(32nmノード以降を睨んだ、特にNAND型フラッシュメモリー向けゲート積層技術。さらなる高集積化に向けてのキーテクノロジーとなるゲート積層成膜へのソリューションを提供)、「ENTRON EX W300 CDT&Ni Silicide」(自然酸化膜のケミカルドライクリーニングとシリサイド膜のin-situ連続処理対応装置。トランジスタの低抵抗化と歩留まり向上)、「RISE-300」(HF ウェットベンチに置き換わるケミカルドライ自然酸化膜除去装置。バッチ式によるウェーハ50枚の一括処理にて高い生産性を実現。微細化によるウェット処理の限界に対してのソリューション。対応できるアプリケーションも多種多様)、「アッシング装置」(省スペース、高スループットを実現。バルクフォトレジストのみならず、高ドーズイオン注入後のレジスト除去。ビアホールエッチング後のフォトレジスト及びポリマー除去。後工程のフォトレジスト除去などの高範囲のアプリケーションに対応可能)、などを提供していく予定である。
最後に、半導体業界へ望むこととして、日本半導体メーカーおよび装置メーカーへの税制面での優遇措置を講じてほしい。また、半導体メーカーはパートナーである装置メーカーを育成するために支払条件を改善してほしい。そして、今後は日本における半導体メーカーと装置メーカーとの共同開発がより活発に行われることを願っている。 |
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