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65nm量産対応、45nm開発/量産に対応した
露光装置を順次投入 |
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キヤノン
光学機器事業本部 半導体機器事業部事業部長
大鷹 照男 |
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次世代ArF液浸露光装置の出荷を来年に控え、2006年はi線とKrFに重点をおいた販売戦略をとった。予想以上のi線需要も追い風となり工期短縮、性能向上を継続的に進めてきたi線露光装置がDRAM、NANDフラッシュ、CMOSセンサーなどのデバイスメーカーから支持を受け、シェアを拡大する見込みである。
2007年はデバイス生産能力増大に伴う供給過剰リスクを抱えながらもBRICs市場の拡大、半導体デバイス応用用途の多様化に支えられ、2006年並の露光装置市場に落ち着くものと予測している。
また、2007年は45nmhp世代に対応したNA1.3以上の液浸露光機の導入がスタートするタイミングである。我々は液浸の世代に対応した最新プラットフォームをゼロから再構築し、装置投入時点で業界トップの製品になることを主眼において製品計画を立てて開発を進めてきた。特に品質には十分配慮し、設計段階から品質の作りこみを意図した設計手法の改革を進め、いち早く生産に寄与し顧客の利益に貢献できるような装置を供給していきたいと考えている。
65nm量産対応の「AS5」、45nm開発/量産に対応した「AS7」を順次投入し、65nmから45nmの多世代に対応したクリティカル対応露光装置として提案していく。ポスト45nmに向け、①２回露光などの新プロセス対応、②高屈折材料を用いた高NA化、③EUV光を用いる短波長化、と3つの微細化技術に対して周辺技術、タイミング、コストなど、顧客の視点で最適解を見極めていくとともに、今後の微細化を支える技術であるDFMについて顧客と協力しながらパターン忠実転写をサポートするツール提供を進めていきたいと考えている。 |
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