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| TEM観察およびPbフリー材料評価技術に注目 |
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エスアイアイ・ナノテクノロジー
取締役技術総括部長
八坂 行人 |
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エスアイアイ・ナノテクノロジーにとって2006年は、年度初めに発表した独Carl Zeiss社(CZ)とのアライアンスの初年として大きなステップの年であった。2007年度の半導体市況については、引き合いも増えてきており、良いとしになる事を期待している。
CZとの共同開発による新製品として、FIB/SEM複合装置を発表した。300mm大型ウェーハ対応の「XVision300」シリーズと小型試料対応の「NVision40」シリーズである。ともに、SEMはCZ社製の「GEMINI」鏡筒、FIBはSIIナノテク製の「SMI」鏡筒を搭載し、世界最高レベルの性能を有している。
蛍光X線装置では、WHEE/RoHS等に代表される有害物質に対する環境規制に対応した「SEA」シリーズの新製品として、「SEA1200VX」を投入した。本装置は当社米国法人SII NanoTechnology USA Inc.製の「Vortex」検出器を搭載している。この検出器の高分解能・高計数率といった特性を活かして、従来機よりも大幅に測定時間を短縮することができている。SEMICON JAPAN 2006において、XVisionシリーズの200mmウェーハ対応モデルを発表する。
マスクリペア製品においては、新型FIBマスクリペア装置を発表する。この装置は半導体先端テクノロジーズ(Selete)、大日本印刷、凸版印刷、HOYAとの共同研究の成果を製品化したもので、低ダメージリペアを可能とする新しいFIB技術を搭載し、65nmから45nm技術に対応したものとなっている。さらに、プローブ顕微鏡では、小型試料用ベーシック機、大型試料用の2モデルを発表予定。ともに、従来製品よりも一段と性能向上が図られている。
当社は、CZとのアライアンスによって、荷電粒子ビーム顕微鏡のラインアップが広がり、お客様の幅広いご要望に応えられるイメージング技術が提供できるようになった。特に注目しているのは、半導体の微細化に伴ってTEMによる半導体デバイス観察の重要度が増している点である。SIIナノテクのFIB/SEMダブルビーム装置さらにはArイオンビームを組み合わせたトリプルビーム装置では、TEM観察には欠かせない薄膜TEM試料作製を最重要アプリケーションの一つとして取り組んでいる。
また、有害金属分析の中でも、Pbフリー材料評価技術にフォーカスしたソリューションを提供していく。これは、従来の蛍光X線分析やICP発光分析に加えて、FIB・SEM・AFMによる観察技術を利用し、組成分析・表面状態観察・断面観察等による広い範囲の材料評価を可能にしていくものである。 |
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