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2007年には4〜5機種の新製品を投入、
32nm以降向け次世代装置開発にも注力 |
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東京エレクトロン
執行役員 コーポレートマーケティング担当兼 マーケティング部長
石川 陽一 |
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2006年は、メモリー(DRAM、フラッシュ)需要増大に伴う半導体メーカーの設備投資が活発となり、好調な半導体市場成長に支えられたことと、その中で市場シェアを伸ばしたことによって、売上高は過去最高となる見込みである。昨年発表した主要プロダクト(プラズマエッチング装置、コータ&デベロッパ、熱処理成膜装置、洗浄装置)の新製品がいずれも順調に立ち上がり、ユーザーの工場で量産に寄与できたことが、業績成長に貢献した。また将来への研究開発費を520億円以上投資し、45nm〜32nm以降向け開発の準備と国内外における評価施設の充実を図ることができたことにより、リソグラフィ工程、ゲート工程、配線工程などにおける次世代開発に向けたユーザーとのコラボレーションを開始できた。
2007年は、当社の成長戦略を確実に実行していく。具体的には新製品を4〜5機種投入し、主要プロダクトのブラッシュアップ、生産性向上、アプリケーション拡張により、リーディングサプライヤーとしての地位を強化していく。また装置メーカーとしての製造力のさらなる強化を実行し、「品質の向上」、「工期短縮」、「コストダウン」を同時に実現していく。そして、引き続き、32nm以降向け次世代装置開発にも注力し、次世代露光工程の塗布現像技術課題の検証、次世代ゲート開発やメモリーキャパシタ開発のプロセス検証、配線工程における新市場の開拓を積極的に実行していく。また、現世代装置に関しても、EES(Equipment Engineering System)などの技術によるOEE向上など、ユーザー生産現場への具体的貢献を実現して行く。さらに、成長が見込まれる新規市場分野への積極的な参入、投資も実施していく。
今年のSEMICON Japan 2006では、100型の大スクリーンを使用して、当社の看板製品であるコータ&デベロッパとプラズマエッチング装置の新製品の発表・紹介と合わせて、当社が成し得るこの2つの主要プロダクトによる「リソセル技術の取組み・ソリューション」を紹介する。また同時に洗浄装置、ウェーハプローバの新製品発表も行なう予定である。是非とも、会場に足を運んで頂きたい。 |
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