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..2007年2月号
45nmへ向けた分光エリプソメトリ膜厚測定
分光エリプソメトリは膜厚モニタリングのための選ばれた技術であり、今後も65nmや45nmなどのテクノロジーノードに向け、ますます複雑になる測定技術の要求にも応えていくだろう。
エンジニアのモチベーションはお金だけ
ではない・・・ハズ
日本版 編集長
高橋 潤
イノベーションは民間主導で生まれる
日本版 編集顧問
津田建二
ゲートドーピングと極浅接合でのプロセスばらつきを低減
メモリー技術はどこへ向かう？
積層型MRAMパッケージ向け磁気シールド技術
2006 Top Fab賞は、TIとChartered が獲得
IEDM2006レポート
“FUSI”や“HfSiON”MOSFETが生産開始間近
Michael Fancher氏 
米University at Albany, State University of New York
(ニューヨーク州立大学アルバニー校)
印刷可能な電子機器向け導電材料
コンピュータ・シミュレーションで強誘電体を解明
Cuエレクトロマイグレーションの制御
分子注入機能によって高い生産性を実現
SEZ、FEOL枚葉式洗浄装置に新型プラットフォームで参入
レチクルディスパッチの最適化でスループットを向上
3次元インテグレーションによって歩留りを改善できる可能性
45nm以降で新しいターゲットを狙うデュアルビームターゲット材料
低コストのイノベーションであふれたIMAPS
2月号 New Products