インターネットを可能にしたともいえるErドープファイバー増幅器(EDFA)の考案者Robert J. Mears氏は、Si内で光学素子と導波管を結合させる方法の開発に取り組んだ際に、面白いことを発見した。それは、Siの超格子は一方向に電流を引き出すようにするが、もう一方向への電流は阻止するような方法で構築されるというものである。これは、ある意味では、超格子がひずみSi技術と似たような新しいチャネル置き換え技術となり、Siのバンド構造を変更するにはドーパントを追加することで調整できる。
　この構造を採用し試作されたチャネルは、さまざまな微細化に対応したプロセスを活用することで駆動電流を高めながらも、n型MOSトランジスタで60％までゲートリーク電流を削減し、p型MOSトランジスタでは80％の削減を果たした。

　この技術は、Mears氏の、米マサチューセッツ州Walthamに拠点を置く新会社、米MEARS Technologies社を通して製品化されている。Mears氏は同社の創立者、会長およびCTOを兼ねている。「携帯電話およびその他の電子機器市場の爆発的な急成長により、半導体には相反する高性能化と低消費電力化が同時に求められている」とMears氏は述べた。「このニーズに答えられるかどうかは、単一の材料、すなわちSiの電気特性に依存することになる。半導体メーカーは単体のSiトランジスタからより高い性能を引きだそうとするため、結果としてSiおよびその自然酸化物の基本的な性質がトランジスタの性能の制限要因となった。

　Mears氏がMST(Mears Silicon Technology)を「プラットフォーム」と呼んでいる同技術の主な長所としては、CMOS、歪みSiまたはSOIウェーハを問わず、半導体メーカーの一般的な工程に十分適合できることである。MST技術の1世代目では、新材料をまったく必要としない。標準的な蘭ASM International社のエピタキシャル成長装置で成膜できる。