米イリノイ大学Urbana-Champaign校の科学者たちは、自らが打ち出した世界最速トランジスタの速度記録を自らの手で破った。周波数が845GHzの最新デバイスは、他の研究グループによって構築されたトランジスタより最高300GHz速く、テラヘルツという目標に近づいている。InPおよびInGaAsで製造されており「新しいトランジスタは、シュードモルフィック(格子整合)レベルのベースとコレクタ領域を利用する」と同校の電気コンピュータ工学Holonyak Chair教授Milton Feng氏は述べた。

　この最新デバイスは、シュードモルフィック構造の使用に加えて、研究者たちは極小のトランジスタ部品を生産するために製造工程を微細化した。トランジスタのベースはわずか12.5nmとなっている。

　「デバイスを垂直に調整することによって、電子が移動する距離を短縮し、その結果、トランジスタの速度が増加した」と、大学院生のWilliam Snodgrass氏は述べた。

　室温(25℃)での操作では、トランジスタ速度は765GHz.であった。-55℃まで冷却すると速度は845GHz.まで増加した。Feng氏、Snodgrass氏および大学院生Walid Hafez氏(現在米Intel社)は、大学のMicro and Nanotechnology Laboratoryで高速デバイスを製造した。トランジスタ速度をさらに増加させ、電流密度を下げることで、接合温度が下がり、デバイスの信頼性が向上できる。