Semiconductor Internationalのウェブキャスト「32nmのリソグラフィ：適切な解決法を探る」(www.semiconductor.net/webcasts)において、4人の専門家がベルギーIMECに集結し、高屈折率液浸、ダブルパターニング、極端紫外線(EUV)、ナノインプリント、電子ビーム(EB)、およびマスクレスのリソグラフィ技術について議論した。IMECで先端リソグラフィのディレクタを務めるKurt Ronse氏、米Sematech社の液浸リソグラフィプログラムマネジャであるBryan Rice氏、米Texas大学のRashid Engineering Regent ChairであるGrant Willson氏、マサチューセッツ工科大学(MIT)の電子工学教授であるHank Smith氏らが、これらの領域における最新技術を発表した。この技術はすべて、多かれ少なかれ将来的にかなり発展する可能性が見受けられる。

　ArF液浸リソグラフィでのダブルパターニングは、これまでかなり好意的に取り扱われていた。IMECは、多くの通常セルで実験を行い、フラッシュパターンで成功した。しかし、ロジックではいくつかの問題が表面化した。Ronse氏が指摘したように、いくらかネッキング(くびれ)の傾向があり、露光段階でラインエンドの短縮を補う必要がある。

　EUVリソグラフィにより、K1ファクタは相当緩和されるが、電力とデブリを軽減するという点から、さらに改善が必要であるとRonse氏は指摘した。また、「現実的には依然として光学上の寿命を立証する必要がある。さらに、EUVレジストおよびEUVレチクルでインフラを確立する必要がある」とも述べた。

　Rice氏は、高屈折率の液浸リソグラフィの可能性を発表した。屈折率1.65の第2世代液体は市販されているが、第3世代液体(屈折率1.8)はまだ市販されていない。高屈折率の液浸への拡張に関する第2の材料の問題は、レンズ材自体にある。Sematech主催の材料研究によれば、将来NA1.7まで拡張する可能性がある場合に浮上してくる物質は、ルテチウムアルミニウムガーネット(LuAG)である。

　ナノインプリントリソグラフィの長所を述べたWillson氏は、32nmのハーフピッチで商用アプリケーションの準備を整えることはほとんどないだろうと認めた。これは、無欠陥のEUVテンプレートを作成するためにSematechが資金調達をするコンソーシアム活動のようなものによって実証する必要がある。

　MITのSmith氏は、32nmノードでEBリソグラフィの確率は本質的にはゼロだと思うと述べた。また、「EUVに関しても同じことが言えるだろう。これらは非常に深刻なショットノイズ問題を抱えており、これ以外は問題ではない」と語った。

　Ronse氏は、ダブルパターニングは費用のかかる技術で、代替案の場合でも時間を稼ぐと見ている。また「EUVは開発と残りの問題解決に若干多くの時間が必要だが、過去数年間遂げてきた進歩を見ると、実現できると思う」と同氏は述べた。

　Rice氏は他の参加者とは違って、NA1.55システムは高屈折率流体の材料解決法に合わせて利用可能だと自信を持っているが、この場合そうともいえない。「問題の1つは、高屈折率物質の開発に十分な投資がされていないという点であり、これはお金がその他の技術に投資されているためである。競合する技術すべてにとって同一の問題といえる。問題の多くは実際には扱いやすいものであるが、半導体産業はこういった問題に焦点を当てていない」と同氏は述べた。