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| 2004年ダイジェスト版 | ![]() |
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| 新技術、新材料との取り組みを迫られる 熱処理技術 |
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熱処理工程は、いくつもの課題に直面している。high-k材料(層間絶縁膜用の高比誘電率材料)をはじめとする各種材料、極めて浅い接合、歪シリコン、SOI(silicon on insulator)などに関する課題である。加えて、効率をさらに上げ、より複雑なデバイスを作るために今後も引き続き更なる微細化が求められている。新材料をできる限り採用しないですませようとして次善策が講じられてはいるが、根本的な物理的限界に到達しつつある。このため、材料や技術の選択に関して再評価が迫られている。 |
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| 世界に広まる歪シリコン技術 | ||
| Emerging Technologies-- IBMがスピンオン塗布で電子移動度10cm2/Vsの薄膜を試作 |
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| Wafer Processing-- オプト時代の主流は発光トランジスタか |
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| Semiconductor Packaging-- 応力の少ないウエハー薄板化技術が登場、50μm厚も視野に |
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| Inspection, Measurement & Test-- ナノトランジスタには最先端顕微鏡が不可欠 |
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