図2　シリコン窒化膜に対するサーマル・バジェットの動向
シリコン窒化膜形成のためのサーマル・バジェットはますます厳しくなってきている。プロセスや生産量の要求にこたえるために、65nm (確実には45nm）技術ノードまでには、新技術が必要になるだろう。