プロセスで誘起した歪を利用する MOSトランジスタの駆動電流は、チャネルに存在する3次元的な歪によって大きく変わる。歪成分はx,y,z方向でそれぞれ独立に表すことができ、ドレイン電流の変化は3次元歪成分の直線関数としてモデル化できる。p.5の表はCMOSトランジスタの性能がx,y,z成分に影響を受けること示している。　出典：TSMC