集積回路アナリストのカナダのSemiconductor Insights社は、米intel社、米AMD社、米Texas Instruments社（TI）、米Xilinx社の65nmのロジック・デバイスを比較したリポートを発行した。同社は、IntelとAMDのマイクロプロセッサ、TIの待機消費電力の低いベースバンド・プロセッサ、UMCで製造されたXilinxのFPGAの65nmプロセスのデバイスについて、構造と化合物の分析を行った。

このレポートでは、これらの全てのデバイスが、ゲート絶縁膜に非常に薄いSi酸化窒化物を使用していることに着目している。　Intelのデバイスは4社中で最も薄いゲート絶縁膜を、TIは最も厚いゲート絶縁膜を使用していたが、他社と比べてN含有量は最も低かった。ゲート絶縁膜が薄すぎると、ロジックゲートのアイドル時にリーク放電が発生しやすくなる。

　Semiconductor Insightsによると、消費電力の問題から90nmの技術ノードでは、ゲート絶縁膜の薄さを追求する競争は終息していた。同社は「65nm世代のトランジスタの性能向上は、ゲート絶縁膜のN含有量を高めるために窒化プロセスを最適化することにより実現される。N含有量が高いほど、絶縁膜の誘電率が向上する。これは配線層でLow-k層間絶縁膜の誘電率を下げ絶縁膜を薄くするのと同じような効用がある」と記している。

　Semiconductor Insightsは、高解像度のTEMによる撮像と、EELS材料の分析により、生産中の65nmの集積回路のゲート絶縁膜の組成を調べた。同社によると、この分析では最も薄い絶縁膜を調べる上で、トンネル電流をいかに低減するかが重要だったという。
（Richarrd Wilson, Electronics Weekly）