半導体製造の研究開発機関Sematechの研究員は、EUVリソグラフィ向けのマスクブランクスで、10nmの粒子を特定して除去することに成功したと発表した。この技術的成果は、ニューヨーク州アルバニーのCollege of Nanoscale Science and Engineering(CNSE)のマスクブランクス開発センター(MBDC)で、日本のレーザーテックと独Hamatechのプロセスツールを利用して実現された。MBDCの上級研究員のAbbas Rastegar氏は、「EUVの成功は、検査能力の極限に迫る10nmの粒子を検出して除去する能力にかかっている。今回の研究では10nmレベルの精密さが22nm世代のプロセスを、EUVで成功させるために不可欠になることがわかった」と述べている。

　10nmの粒子はピンの先端に10万個乗るほど小さいが、Rastegar氏によると22nmハーフピッチでマイクロチップの回路やデバイスを定義する微細パターンを含むEUVマスク上の重要な部分に付着すると、問題発生の原因になる。Sematechと共同開発されたLasertec M7360は直径30nmの粒子を検知でき、マスクブランクスの検査装置としては最も感度が高い。MBDCのエンジニアは、Lasertec M7360と原子間力顕微鏡(AFM)を使い、クオーツのマスクブランクスに意図的に付着させた10nmのSi粒子を特定し、場所を確認して測定した。続いて、HamatechのASC5500を含むSematechの先進的なクリーニングプロセスにより、全ての粒子を取り除き、AFMで確認した。

　MBDCは以前に、30nm以上の粒子をEUVマスク表面から全て除去することに成功していた。Sematechのリソグラフィ・ディレクタのMichael Lercel氏は、今回実現した10nmの単一粒子の除去は大きな科学的性成果であり、極小微粒子による欠陥発生におけるクリーニング技術の重要性を浮き彫りにしたと語っている。Lercel氏は、高解像度の欠陥検査装置と高効率のクリーニング技術には、EUVマスクブランクスのプロセスを成熟させる上で確実性が要求されると語り、MBDCは今後もこの研究に取り組むことになる。

(Ann Steffora Mutschler, Electronic News)