エスアイアイ・ナノテクノロジー(SIIナノテク)は、45nm対応フォトマスク欠陥修正装置「SIR7」の販売を開始した。
　同装置は、従来の65nm対応フォトマスク欠陥修正装置「SIR7000」の使い易さを継承しつつ、45nmの分解能、精度、低ダメージ化を実現した次世代機で、半導体先端テクノロジーズ(Selete)、大日本印刷、凸版印刷、HOYAと2006年3月までに行った共同研究の成果をもとに開発された。
　フォトマスクは、半導体用回路を形成するためのリソグラフィ工程における原版となるが、寸法の微細化にともない半導体デバイスの性能や製造歩留まりを左右するものとして課題があった。フォトマスク製造においては、ブランクスにパターンを形成する技術、パターンがデータ通り形成されているかを検査する欠陥検査技術、パターンを修正する欠陥修正技術などが重要となる。欠陥修正においては、パターンの一部が欠落している個所(白欠陥)にカーボンを堆積する白欠陥修正と、本来光が透過する部分に存在する異物(黒欠陥)をエッチング除去する黒欠陥修正とがある。フォトマスク欠陥修正装置は、これら白黒両欠陥を修正することによってマスクの歩留まりを大幅に向上することができるため、マスク製造の上でも重要な技術とされる。45nm世代では線幅が狭くなっている上、OPCパターンも多く使われているため、修正しなければならない欠陥サイズが非常に微小であるだけでなく形状も複雑になってきている。さらにリソグラフィの光源にはArF(193nm)が使われるため、修正箇所の光学特性も非常に厳しく、ガラスへのダメージを数nmの単位で減らす必要がある。
　SIR7は、集束イオンビーム(FIB)を用いることで4nm(3σ)の修正精度を実現、低加速型イオンビーム鏡筒の採用によって高精度かつ低ダメージの修正を可能にした。また、CADリンケージ機能を採用しており、半導体レイアウト設計で用いられるEBの図形データから欠陥箇所の正常なパターンを抽出し、欠陥箇所と重ね合わせることによって正常なパターンに近い形状で修正することが可能。これにより、OPCなど複雑な形状を修正する際にも忠実な形状で修正することができる。さらに、SMIF搬送機構の採用によって、SMIF Podによって運ばれてきたフォトマスクをクリーン度の高い搬送機構を通じてチャンバ内に搬送することができ、フォトマスクへのパーティクルの付着を防ぐ。本体価格は6億円。