米Applied Materials社(AMAT)は、ナノマニュファクチャリング技術によって45nmフォトマスクのエッチングを実現する装置として、Applied Centura Tetra Ⅲ Advanced Reticle Etchを発表した。Tetra Ⅲは石英マスクの全面にわたってトレンチエッチを10Å以下に制御でき、CDロスを10nm以下に抑えらことができるため、重要なデバイス層に位相シフトマスクや積極的な光近接効果補正技術を利用することが可能である。クロム(Cr)、石英、窒化モリブデンシリコン(MoSiON)、および次世代リソグラフィ用の各種新規材料に対応しており、実質的に欠陥ゼロの高効率エッチングを実現するという。
　同社シニアバイスプレジデント兼ジェネラルマネージャのTom St.Dennis氏は、「先進的なバイナリマスクやPSMなどのアプリケーションで抜群の性能を発揮するTetra Ⅲは、45nm世代以降のマスク製造の鍵を握っている。業界が次世代リソグラフィソリューションを模索する中で、アプリケーションはこれまでになく多様化している。Tetra Ⅲはこうした幅広いフォトマスク材料のエッチングが可能で、あらゆるアプリケーションに対応できる」とコメントしている。