米Applied Materials社(AMAT)は、45nmノード以降におけるロジックデバイスの高速化と低電力化を支える先進的なLow-kバリア膜形成装置Applied Producer BLOk Ⅱ PECVDを発表した。BLOk Ⅱバリア膜は、同社のBlack DiamondなどのUltra Low-k絶縁膜と併用することにより層間絶縁膜スタックの実効誘電率を最大10％引き下げ、信号伝達を高速化することが可能という。競合するバリア膜形成技術と比べてエレクトロマイグレーション耐性は30％優れており、Producerの枚葉式アーキテクチャーを生かしたin situ前処理によって、優れた密着性やデバイスの高信頼性を実現するとしている。
　同社のMaydan Technology Center(MTC)にて、Applied Centura Enablerを用いて積層膜をエッチングし、選択比、エッチレート、アンダーカットなどの最適化を行い、BLOk ⅡとBlack Diamondのインテグレーションについても実証を終えているという。これによって顧客は、BLOk Ⅱ技術を次世代Low-k積層膜にインテグレーションすることがより迅速かつ確実に行うことが可能になるとしている