京都大学、東京エレクトロン(TEL)、ロームの3者は、共同で実施してきたSiCパワーデバイスの研究開発において、量産型SiCエピタキシャル膜成長試作装置によるSiCウェーハの複数枚一括処理技術を確立したと発表した。
　これまで3者は、京都大学大学院工学研究科教授である木本恒暢氏の指導のもと、TELの量産装置開発技術とロームのプロセス、デバイス評価技術を融合し、実用化に向けたプロセス開発に取り組んできた。今回、SiCデバイスの高信頼性、高歩留まり確保に不可欠の要素である膜厚とドーピング濃度の高い均一性を実現したことで、安定したエピ膜成長を複数枚で一括処理できる技術を確立することに成功した。2006年8月に京都大学桂キャンパスのローム記念館にエピタキシャル膜成長装置の試作機を設置して以来、10ヵ月という短期間で今回のプロセス開発の完了に至った。
　同技術により、Fe、Cu、Naなどの不純物成分0.1ppm以下の高純度の成膜環境、0.13μm以上のパーティクルが60個以下といった低パーティクルの高品質エピ膜成長を実現。また、シミュレーション技術によって、コイル形状やガス導入ノズルに新技術を盛り込んだ誘導加熱を用いて選択的にSiC基板付近のみを高精度に加熱制御できるシステムを導入し、高均一なエピ成膜と窒素ドーピングを実現。これにより、世界最高水準の高性能SiCデバイス実現が期待されるとしている。
　3者は今後も共同研究を進め、さらなる結晶欠陥の低減、成膜の生産性向上によって高品質・低コストを実現したSiCデバイスの実用化を目指す。
　なお、今回の成果は2007年6月18日から大阪にて開催される「SEMI FORUM JAPAN2007」において発表される予定。