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Samsung、米国Austinの300mmウェーハ新工場を開所

[issued: 2007.06.19]

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 韓国Samsung Electronics社は6月14日(米国時間)、米国テキサス州Austinにて、NAND型フラッシュメモリー製造を目的とする300mmウェーハ新工場の開所式を行った。
 同工場の建屋面積は160万ft2で、Austinでは最大クラスの建物、米国内においても最大クラスの半導体工場となる。総投資額は35億ドル。新工場で最初に生産する製品については、50nmプロセスによる16GbのNAND型フラッシュメモリーを予定している。2007年下期から操業を開始し、2008年までにウェーハ換算で6万枚/月まで生産能力まで引き上げる計画。新工場は、既存の200mmウェーハ工場と隣接して建設された。既存工場では引き続きDRAMの生産を行うという。




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