米IBM社と伊仏STMicroelectronics社は、半導体の開発および製造に使用される次世代プロセス技術の開発において協業することで合意したと発表した。
　今回の合意には、32nmならびに22nmのCMOSプロセスの技術開発および設計技術開発、300mmウェーハ製造への応用に向けた先端研究が含まれる。さらに、中核となるバルクCMOS技術と付加価値の高い派生技術であるSoC(System On a Chip)技術の開発の双方を含んでいる。また、両社の合意には、これら技術を使用したSoC製品の設計スピードを向上させるIPおよびプラットフォームの開発協力も含まれる。　合意の一部には、両社が互いの開発設備内に開発チームを置くことが含まれている。バルクCMOS技術の開発に関しては、米国のEast FishkillとAlbanyにあるIBMの半導体研究開発センターにSTの研究開発チームを設置。STの300mmウェーハ研究開発センターと製造設備があるフランスのCrollesには、IBMが研究開発チームを設置、組込みメモリー、アナログ、RFなど付加価値の高い派生技術を共同開発する。
　今回の合意により、STはIBMのCMOSテクノロジー・アライアンスのパートナーシップに参加することになる。
　今回の合意に基づいて共同開発されたプロセスは、STのCrollesにある300mmのウェーハ製造設備、IBMを含むCommon Platformテクノロジーの製造メーカーの300mmウェーハ製造設備に投入されるという。
　さらに、長期的な見通しとして、フランス原子力庁の研究機関であるCEA-LETIとSTの間で長年行ってきた共同研究活動を基に、IBM、CEA-LETI、STの三者は、将来の技術ノードに向けた先端技術に関して協業する計画という。