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東芝、第四製造棟の竣工でNAND型フラッシュの生産を加速

[issued: 2007.09.05]

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完成した第四製造棟（Fab4）の外観

　東芝は2007年9月4日、同社四日市工場においてNAND型フラッシュメモリーの300mmウェーハ対応の新製造ラインとなる第四製造棟（Fab4）の竣工式を行い、2007年12月から同ラインでの量産を開始すると発表した。携帯電話、音楽プレーヤ、PC、メモリーカードなど、デジタル機器向けにNAND型フラッシュメモリーは需要拡大を続けており、新棟完成による生産能力の増強によって、「2008年にも世界シェアでトップを狙う（東芝代表執行役社長の西田厚聰氏）」という。

東芝代表執行役社長の西田厚聰氏

　2006年4月、東芝と米SanDisk社は市場が急成長しているNAND型フラッシュメモリーの需要急増に対応するため、東芝四日市工場に300mmウェーハ対応の製造棟を新たに建設することで合意、同年8月より新棟の建設を進めてきた。新棟向け設備投資のうち建物の建設費用は東芝が負担、内蔵装置の費用についてはSanDiskとの折半出資による合弁会社フラッシュアライアンスが負担する。新棟の構造は鉄骨2層5階建で、建屋面積3万5500m²、延床面積18万1000m²。2008年後半には生産能力を月産8万枚まで整備する計画で、その後は市場動向に応じた追加投資を実施し、フル稼働時には21万枚/月まで拡大する計画。

SanDisk Chairman＆CEOの Eli Harari氏（左）と東芝執行役上席常務セミコンダクター社社長の齋藤昇三氏（右）

　製造プロセスは56nmからスタートし、2008年3月以降においては順次43nmプロセスに移行する計画。多値化技術は現在主力の2bit/cellに加えて、「3bit/cellを2008年後半から導入する予定（東芝セミコンダクター社メモリ事業部事業部長の小林清志氏）」という。今後は、3Xnmや2Xnmといった微細化技術の開発や4bit/cell技術の確立などについても推進して他社との差別化を図る戦略である。

　なお、新棟は高安定稼動をコンセプトとして、建屋全体免振構造による地震対策、高圧瞬低補償装置（MPC：Multiple Power Compensation）による瞬低対策、電源二重化による停電対策などが導入されている。これらにより、地震の揺れを1/3程度まで抑え、落雷時の製造用電力の変動を防ぐという。また、環境対策として省エネ型クリーンルームを採用、従来型クリーンルームと比べてCO₂排出量を56％削減、排水回収によって排水量を70％削減できるという。

　現在稼働しているFab1、Fab2、Fab3の生産枚数は合計で20万枚（300mmウェーハ換算）規模で、新棟の立ち上げによって最大で2倍ほどの生産能力を確保することになる。SanDiskのChairman＆CEOであるEli Harari氏は、「Fab4の竣工は完璧なタイミング。新棟によって我々はこれから迎えるフラッシュメモリーのグローバルな需要に応えることが可能である」とコメントした。ただ、旺盛なフラッシュメモリー需要に対して、数年後には生産能力が追いつかなくなる恐れもあり、Fab4の次の新たな製造ラインとして、「2009年頃にはFab5を稼動できるように今年度中にも建設計画について意思決定をする方針（東芝執行役上席常務セミコンダクター社社長の齋藤昇三氏）」という。

（鉄井亮一）