京セラは、これまで内製向けに技術活用していたウェーハバンピングについて、外販を開始して本格的に事業展開していくと発表した。事業拠点は鹿児島隼人工場で、2007年10月1日から外販を開始するという。

　同社は、薄膜部品事業の主力であるサーマルプリントヘッドで培ってきた無電解めっき技術と高精度スクリーン印刷技術を用いたウェーハバンピング技術を確立、主に内製向けに技術活用を行っていた。ウェーハバンピングは、ICと基板などを接続するときに使用されるウェーハ単位でバンプを形成する工法である。同社は、従来の電解めっき工法と比較して工程数の半減を実現、独自のシンプルな工法を確立することでリードタイム短縮や低コスト化で優位な新工法を提案していく。

　同社の無電界めっき技術は、化学反応を利用した自然現象によるめっき形成方法で、ICの電極上に直接UBM（Under Barrier Metal）形成を行うことが可能。従来の電解めっきでは、バンプ形成の前後に、スパッタバリアメタル形成、レジストパターン形成、バリアメタル除去といった工程が必要だが、無電解めっきはそれらが不要となり工程の短縮が図れる。また、印刷焼成関連技術よって配線パターンの穴をあけた版に、上からペーストを刷りつける高精度スクリーン印刷技術を確立。同技術は半導体パッケージなどで要求される狭ピッチ配線の印刷に適しており、独自のノウハウを応用することでICウェーハへのはんだ印刷を可能にした。

　これらの技術を応用することで、従来の電解めっきのバンプ形成と比べて工程数を半減することを実現。工法がシンプルなため設備も削減することができ、大幅なコスト削減が図れるという。なお、使用するバンプはPbフリーはんだでRoHS指令に準拠している。