ニコンと米Synopsys社は、SynopsysのOPCツール「Proteus」の最新版に、ニコンの露光装置に固有の露光特性情報を反映させたことを発表した。両社は協業活動の一環として、固有の露光特性情報を反映させたスキャナ・パラメータモジュールを共同で開発、45nm以降の半導体製造に必要となるOPC（Optical Proximity Correction:光学近接効果補正）およびRET（Resolution Enhancement Technology:超解像技術）のシミュレーションモデルを実現した。ユーザーは、露光装置の固有データを最新版のProteusソフトウェアに取り込むことで、OPCモデルの精度を向上させ、最適化に要する時間を短縮することが可能になるという。

　45nm以降では、１nmレベルでの線幅制御が必要となり、OPCモデルおよびRETモデルに加え、半導体露光装置の性能を極限まで高める必要がある。従来のOPC設計ツールは、半導体露光装置の理想化されたモデルを使用してマスク上のパターンのOPCを行うが、マスクパターン最適化のため、シミュレーションモデルとウェーハパターンを比較して、マスクパターンを繰り返し調整する必要があった。そのため、正確で予測性の高いモデルの生成が困難であり、微細パターンには適さないという課題があった。こうした課題を克服するため、両社は先端デバイスでの製造に伴う開発コスト増加の負担を軽減し、製造工程に適したOPCソリューション開発を目指して、2006年9月から高精度OPCモデル開発のための協業を進めてきた。

　両社が共同で開発したインターフェースによって生成されたモデルは、従来のOPCモデルでは予測できなかった露光による描画の影響を正確に予測することが可能。これにより、Proteusのユーザーは、ニコンの半導体露光装置に固有の偏光フレア、同期精度、収差データといった高次の露光特性の情報に自動的にアクセスすることができる。45nm以下の解像度を持つニコンの露光装置「NSR-S610C」、「NSR-S609B」、「NSR-S308F」が対象という。