米Spansion社は2007年9月、福島県会津若松市の半導体工場「SP1」で、300mmウェーハを使った65nmプロセスによるNOR型フラッシュメモリーの量産を始めた。「300mmウェーハによるNOR型フラッシュメモリーの量産は世界で初めて」（同社）という。200mmウェーハを使って量産した場合に比べて、チップ当たりの生産コストを30％下げられることから、競合他社に対してコスト競争力で優位に立ちたい考え。

　SP1は、2006年9月にクリーンルームの建設に着手し、2007年3月に竣工した。2段階に分けてクリーンルームと製造装置を導入していく計画で、今回の投資は第1フェーズに当たる。SP1全体の延べ床面積は1万3800m2で、このうち、第1フェーズでは8800m2が投資対象となる。第1フェーズの投資総額は12億米ドルを予定している。現在までに計画の半分に当たる6億米ドルを投資済みで、ウェーハの処理能力は当初500枚/週である。年内には量産出荷を開始する。その後、製造装置を順次追加導入し、第1フェーズでの処理能力を最大4000枚/週まで引き上げる計画だ。

　また、当面は65nmプロセスでNOR型フラッシュメモリーの量産を行うが、2008年には45nmプロセス品の生産を始める予定である。同社はすでに、米国にあるSDC（サブミクロンデベロップメントセンター）で、45nmプロセス技術と300mmウェーハを使ったNOR型フラッシュメモリーの試作を行っており、SDCで開発した生産技術をSP1に移管して、製造設備導入から量産出荷までの垂直立ち上げを狙う。今回、SP1で量産に入った300mmウェーハを使った65nmプロセス技術も、SDCで開発した生産技術をコピーしたもの。この結果、SP1ではクリーンルーム建設開始から最初の試作品の製造までを、わずか9カ月という短期間で行えた。

　さらに、将来は第2フェーズとして、現在空きスペースとなっている5000m2の領域にもクリーンルームを建設し、製造設備を導入していく。第2フェーズの投資が完了すれば、ウェーハの処理能力はSP1全体で7500枚/週となる。

　SP1で量産するのは「MirrorBit」と同社が呼ぶ独自構造を用いたNOR型フラッシュメモリー。従来のNOR型フラッシュメモリーがフローティングゲート技術をベースとしているのに対し、MirrorBit技術はメモリーセルをプレーナ型にするなどシンプルな構造としているのが特徴。このため、「従来型に比べて歩留りが高く大容量化にも容易に対応できる」（同社）という。

　また、携帯電話機向けのフラッシュメモリー「MirrorBit Eclipse」などもSP1で生産していく予定である。この製品はNOR型インターフェースや、プログラムコードをフラッシュメモリーから直接実行する機能「XIP（execute in place）」などを備えることで、システムの起動時間を短縮したり、画像や音楽などのデータのロード時間を高速化したりすることができる。
（馬本 隆綱）