富士電機デバイステクノロジーは、電力用スイッチング素子の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）を生産する直径150mmの薄ウェーハラインとIGBTモジュールの組立工程について、増強および新設することを決定したと発表した。新ラインは、HDDの生産拠点であるマレーシア富士電機社の敷地内に新設した工場に設け、ウェーハプロセスから組立・検査まで一貫したモジュール生産ラインの増産体制を整える。これにより、産業用IGBTモジュールの生産能力を、今期第一四半期の月産60万個から順次増強、2010年4月までに月産110万個まで引き上げる計画。

　今回の事業強化について、総額で約280億円を投資する予定している。前工程のIGBT 150mm薄ウェーハプロセスについては、マレーシア富士電機社にて2009年4月から月産5000枚で量産を開始し、2009年10月までに月産1万5000枚へ順次増産する。また、松本事業所（長野県）にて、2007年12月に月産4000枚の追加増産を開始する。これにより、産業用IGBT薄ウェーハの生産能力を現在の約2倍となる3万9000枚とする。一方、後工程のIGBTモジュールの組立工程については、マレーシア富士電機社にて、2008年4月から月産5万個で量産を開始、2010年4月までに月産30万個へ順次増産する。大町富士（長野県）においても、2007年9月および2008年1月にそれぞれ月産10万個の追加増産を開始する予定という。これにより、最終的にIGBTモジュールの生産能力を110万個体制まで引き上げる。