高性能かつ高密度で、配列構造に対応した相変化メモリー（PCRAM）製品を開発するため、韓国Hynix Semiconductor社は、相変化半導体メモリーを開発する米Ovonyx社と長期ライセンス契約を締結した。この契約の一環として、Ovonyxは、同社の特許とIPを適用した相変化メモリー製品を開発するHynixを積極的にサポートするという。

　Ovonyxは、同社の最大の株主である米Energy Conversion Devices（ECD）社とともにPCRAM技術を開発。「業界に先駆けて、相変化メモリーのデバイス、設計、モデル化、性能の最適化などを含むPCRAMの実用化の基礎となる理解が得られた」（Ovonyx社）と説明。一方、Hynixは「当社は半導体メモリー関連の豊富な経験を持ち、また知的財産権のポートフォリオも数多く取りそろえている」と強調。メモリー業界大手である同社は、「今後も引き続き新技術の開発と、相変化メモリー製品の商品化を追求していく」（同社）と述べている。

　Ovonyxの相変化半導体メモリー技術は、もともとはECD社のS.R. Ovshinsky氏によって発明されたもの。Ovonyxによれば、「より高速な書き込み/消去を実現する当社の不揮発性メモリーは、標準的なフラッシュメモリーとは異なる。新世代のフォトリソグラフィを利用することで、書き換え回数を大幅に増やすことができる。また、スケーリング性能を向上させることも可能である」という。

　Ovonyxの配列構造対応メモリーは、わずかな工程を追加するだけで実現できる。そのため、数枚のマスクを追加するだけで、不揮発性メモリーを組み込んだICの設計が可能となる。同社は、Hynix、英BAE Systems社、米Intel社、伊仏STMicroelectronics社、韓国Samsung Electronics社、米Nanochip社、エルピーダメモリ、そして独Qimonda社を含む半導体製造企業とのライセンス契約や共同開発プログラムを通じて、このメモリーシステムの商品化を追求したいとしている。

（Electronic News）