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東芝が43nmプロセスのNAND型フラッシュ生産にニコンのArF液浸を採用
[issued: 2007.10.19]
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ニコンは、2007年10月8日から米国コロラド州キーストーンで開催された第4回「液浸リソグラフィに関する国際シンポジウム」において、東芝が生産を開始する43nmプロセスによるNAND型フラッシュメモリーにおいて、ニコンのArF液浸露光装置「NSR-S610C」が採用されたと発表した。
NSR-S610C（NA1.30）は、メモリーでは45nm以下、ロジックデバイスでは32nmプロセスの量産対応として開発された露光装置で、ニコンは2007年2月から同装置の出荷を開始している。独自のローカルフィルノズルにより、気泡やウォーターマーク、ウェーハ裏面の汚れといった液浸起因の欠陥が除去できることを実証。また、機能を分担した2つのステージで構成される独自のタンデムステージシステムを採用し、高スループットと高精度の両立を達成しているという。
NSR-S610C（NA1.30）は、メモリーでは45nm以下、ロジックデバイスでは32nmプロセスの量産対応として開発された露光装置で、ニコンは2007年2月から同装置の出荷を開始している。独自のローカルフィルノズルにより、気泡やウォーターマーク、ウェーハ裏面の汚れといった液浸起因の欠陥が除去できることを実証。また、機能を分担した2つのステージで構成される独自のタンデムステージシステムを採用し、高スループットと高精度の両立を達成しているという。
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