米Intel社は、45nmプロセス技術に対応した同社初の半導体量産施設「Fab32」（米国アリゾナ州チャンドラー）にて、PCやサーバー向け新世代マイクロプロセッサーの製造を開始したと発表した。Fab32の総工費は30億ドルで、床面積は約100万平方フィート（約9万3000m²）、約18万4000平方フィート（約1万7000m²）のクリーンルームを整備している。同Fabには、プロセスや自動化、イールド・エンジニアリングや製造技術技師など1000人以上が従事する。

　IntelにとってFab32は、300mmウェーハ対応の製造施設として6番目、45nmプロセス対応の半導体製造施設としては2番目となる。同社は2007年1月に米国オレゴン州の製造拠点にある開発量産施設「D1D」にて45nmプロセッサーの製造を開始、今回のFab32の竣工によって量産体制を強化する。同社はさらに、300mmウェーハおよび45nmプロセス技術対応の製造施設として、イスラエル・キリヤットガットの製造施設「Fab28」および米国ニューメキシコ州リオ・ランチョの製造施設「Fab11X」の操業を2008年に予定している。

　今回稼動を開始したFab32は、環境に配慮した施設として電力・水の保全対策が講じられている。同社の45nmプロセス技術は、地球温暖化ガスの排出量で15％の削減効果があるとされ、Fab32では同社がアリゾナ州で展開する斬新な水資源の保全/再利用プログラムを通じて水の使用量を70％以上節約するという。環境に配慮した建物建築の推進を目的に制定された評価制度「LEED（Leadership in Energy and Environmental Design）」において、同社初の施設認定を目指している。

　同社が量産する45nmトランジスタには、ゲート絶縁膜にHf系のHigh-k材料、ゲート電極に複合金属材料が使用されており、主にPCやサーバー向けの高速で電力効率に優れたマイクロプロセッサーや、携帯端末やデジタル家電機器向けの超低電圧プロセッサーなどを製造する。同社では、2007年11月12日（米国時間）にも45nmプロセッサーを発表する予定という。