NECエレクトロニクスは、同社100％子会社のNEC山形において、40nmプロセスを用いたシステムLSIを生産することを決め、100億円を投じて現在の300mmウェーハ生産ラインに液浸露光装置などの生産設備を設置したと発表した。

　すでに、NEC山形は300mmウェーハで1万3000枚/月の処理能力を有しているが、今回の設備導入によって、そのうち5000枚で55nm品および40nm品の生産が可能になる。5000枚のうち2000枚は40nm品に対応可能という。40nm品の生産開始時期は2008年度末の予定。生産品目としては、デジタル家電、携帯機器やゲーム機器向けシステムLSI、メモリー混載のシステムLSI製品などを予定している。

　NEC山形の55nm製品は、液浸露光技術とHigh-kゲート絶縁膜の技術を採用しており、40nm製品においても生産設備を55nmと共有できるため、NEC山形での40nm製品の量産展開を決めたという。

　NECエレでは、2006年12月から65nm製品の量産を開始、2007年10月から55nm製品のサンプル出荷を開始している。一方、NEC山形では、2005年1月に300mmウェーハでの生産を開始、これまでに総額約1400億円程度の投資を行い、デジタル家電製品向けに130nm、90nm、55nm製品などを提供していた。なお、NECエレでは今後も順次NEC山形へ設備を導入して、40nm製品の量産体制の確立を目指すという。

＜NEC山形の概要＞
社名：山形日本電気
設立：1964年6月22日
所在地：山形県鶴岡市宝田1－11－73
社長：佐藤奬
資本金：10億円（NECエレクトロニクス100％）
売上高：712億円（2006年度）
事業内容：半導体製品の製造
従業員数：約1500人（2007年4月末）