レーザーテックは、貫通電極（TSV: Through Silicon Via）形成プロセスでのエッチング深さを検査する「WASAVI シリーズ TSV300」を発表した。

　半導体デバイスはさらなる高密度、高速動作、低消費電力化のため、回路を積層する3次元積層デバイスが実用化されつつあるが、歩留まりを左右する貫通電極の深さを制御する必要がある。ところが、通常の光学系では、底部分からの反射光強度が微弱で、迷光が大きいという問題があり、深さの計測が困難であった。

　TSV300は、同社のコア技術であるコンフォーカル（共焦点）光学系と白色干渉計の組み合わせで構成されている。深さ計測専用のコンフォーカル光学系を搭載し、計測光学系から迷光を排除することにより底部分からの微弱な反射光を捉え、白色干渉計の高い分解能による高精度なエッチング深さ測定を実現した。

　光で計測するため、従来手法のように破断面の作製が不要で、非破壊で検査することが可能、エッチングの開口径と深さを全自動で検査することができる。300mmウェーハに対応（200mmにも対応可能）しており、深さ測定精度は0.1μmを実現。主な用途としては、エッチング/レーザーによる貫通電極形成過程での深さ検査、パワーデバイスのトレンチの計測、MEMS技術や金属微細加工など深いビア構造の解析などに利用することができる。

　本体価格は1億1000万円～1億4000万円で、同社では初年度の販売目標として10～12台を目指す。