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TSMC、High-k/メタルゲートを使わない32nmプロセスを開発

[issued: 2007.12.13]

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　台湾ファウンドリのTSMC社は、アナログとデジタルの両方に対応可能な32nmプロセス技術を開発したと発表した。同社は新技術について、米国ワシントンD.Cで開催されたIEDM 2007にて発表、2MビットSRAMの試作チップで完全動作を確認したことを明らかにした。

　今回の技術開発にあたって、同社ではHigh-kゲート絶縁膜およびメタルゲートを採用していないことを強調、0.15μm²の高密度SRAMセルはArF液浸リソグラフィによるダブルパターニングで実現したとしている。

　同技術は、低消費電力、高密度、製造マージンについて最適化が行われ、高密度SRAM、待機時の低消費電力トランジスタ、アナログ/RF機能、Cu/Low-k配線などを統合することで、携帯機器アプリケーション向けSoCデバイスに適しているという。同社は今後、デジタル、アナログ、RF機能を備えた32nmプロセスの高密度メモリーの生産を目指すという。