東芝と米IBM社は、32nm世代のバルクCMOSプロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。

　両社は2005年12月から、米国ニューヨーク州YorktownやAlbanyの研究施設において、32nm以降の半導体プロセス技術に関する基礎研究を共同で進めてきたが、今回の合意によって、これまでの基礎研究の成果を基に、共同開発対象を32nm世代のバルクCMOSプロセス技術まで広げるという。

　東芝は今回の合意によって、現在IBMとそのパートナー企業の合わせて6社が米国ニューヨーク州East Fishkillで行っている、32nmバルクCMOSプロセス技術の共同開発のアライアンスに加わることになる。

　東芝は今後、IBMとの共同基礎研究に続いて、共同開発の一員として、32nmバルクCMOSプロセスの開発を推進。同時に、東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンター（横浜市）で行う32nm世代の量産化に向けたプロセス開発を加速し、最先端デバイスの早期量産化を目指すという。