米Applied Materials社（AMAT）は11 月26 日、DUV（深紫外線）明視野ウェーハ検査装置「Applied UVision 3」を発表した。45nmノードのトランジスタ形成工程（FEOL）および液浸リソグラフィに求められる高い欠陥検出感度を備えているとしている。

　Applied UVision 3では、ウェーハ上を走査するレーザービーム数を3 倍に増やし、競合装置に比べスループットを40%高速化した。2 つの新しい画像処理モードにより感度は20nmまで高められており、新たに搭載した柔軟性の高い自動欠陥分類エンジンが欠陥を素早く探し当て、歩留まりの習熟期間（歩留まり低下の原因を特定・除去するプロセス）を加速できるとしている。また、DUV レーザー機構を高感度の光電子増倍管（PMT）および可変偏光と組み合わせ、32nmメモリー開発の課題にも対応する。さらに、独自のアルゴリズムにより高い精度の欠陥検出とステッチ間の検出が可能になり、周辺回路部に対する感度の向上も実現した。