米AMI Semiconductor社はこれまで、ベルギーIMECと協力して、ミックスドシグナル/デジタル製品メーカー向けの次世代型「Smart Power技術」に関する開発を行ってきた。

　今回の協業による2年間の共同研究プログラムにおいて、AMIはディープサブミクロンプロセス技術におけるIMECのノウハウや経験を活用し、IMECの200mmウェーハ施設でSmart Power技術を適用したプロセスおよびデバイスの開発を目指す。AMIの技術者チームは、ベルギーで働く同社Smart Power技術チームと密接に協力しながら、ベルギーにあるIMECの施設で、IMECの技術者と共同で研究を進める。

　AMIのCEOであるChristine King氏は、「この協業に合意したことで、われわれは、次世代型Smart Power技術『I4Tプラットフォーム』を開発し、また特殊かつ極めて重要な知的財産を保護することができるだろう。IMECは、高度なインフラだけでなく、卓越した技術力とビジネスモデルを有しており、われわれにとっては理想的なパートナーだ。当社のSmart Power技術チームと近い場所にあることも、重要な強み」と述べている。

　I4Tプラットフォームは、AMIの第4世代Smart Power技術である。同社はこのプラットフォームについて、「高い電圧の電源機能を、高密度の論理回路、プロセッサ、およびメモリーとともに、1つのデバイスにまとめることができる」と述べている。I4Tは、「次世代自動車、電源管理、通信用の複合型SoCにおけるSmart Powerシステムに的を絞ったものになる予定」（同社）という。

　IMECでCEOを務めるGilbert Declerck氏は、「今回の協業によって、ベルギーにおけるAMIの活動を支援できることを喜ばしく思う。AMIと協力するこの新しいプロジェクトは、トランジスタをさらにスケーリングするのではなく、新しい製造プロセスとデバイス技術の研究開発に的を絞って、性能と新しい機能に力を注ぐ、IMECのCMOREプログラムの考え方と一致している」と語った。

　CMOREプログラムでは、130nm/90nmのCMOS技術に対応したIMECの200mmウェーハ施設を利用する。IMECは、CMOREプログラムの一環として、シリコンゲルマニウム（SiGe）を利用した一体型MEMSのプロセスとデバイス、集積受動素子用の薄膜技術、およびサブミクロンレベルのSOI（Silicon on Insulator）技術を利用した光素子を開発している。

（Electronic News）