JSRは、32nmに向けてArF液浸リソグラフィに対応したノントップコートレジストを開発したと発表した。同社は今回、液浸用上層保護膜の改良版を開発すると共に、上層保護膜を必要としないノントップコートレジストを開発、ニコンおよび東京エレクトロンと共同で、リソグラフィ性能、欠陥、生産性などの評価を行ったところ、最先端メモリーや32nm半導体の量産に使用できることを検証したという。同研究成果は、2008年2月24日から米国カリフォルニア州にて開催されている国際会議「SPIE Advanced Lithography 2008」にて発表された。

　液浸リソグラフィは次世代半導体製造に有用な露光技術だが、レンズとウェーハの間に純水を満たした状態で露光する方式のため、純水の安定した保持が難しく、ウェーハ上に水滴が残ることなどにより、欠陥の発生や歩留まりの低下といった問題が生じるという。同社は、これらの課題を解決するためにフォトレジストの上に塗布する液浸用上層保護膜「TCXシリーズ」を2007年より市場投入している。同社は今回、従来のArFレジストおよび上層保護膜に加えて、32nm半導体製造技術に使用されるNA1.0を大幅に超える第2世代液浸露光技術対応のノントップコートレジストを開発したことで、性能向上や多様化へのニーズに対応するとしている。