米Rohm and Haas Electronic Materials社エレクトロニック・マテリアルズ部門 CMPテクノロジーズ事業部は、32nm/22 nmノード世代のCu配線/Low－k層間絶縁膜へのCMP（Chemical Mechanical　Planarization）プロセスの技術を米IBM社と共同開発することについて合意し、共同開発契約（JDA）の締結を行ったと発表した。

　今後両社は、32 nmおよび22 nmデバイスの量産を可能にするために、包括的なCMP消耗材ソリューションを構築していく。現在、Rohm and Haasは、量産に適応する低圧研磨技術に注力している。同社は、半導体メーカーからの要求である低コストプロセスを維持しながら、多岐にわたる特定用途向けCMP消耗材や革新的技術を提供し、次世代のプロセスノードに取り組んでいくとしている。

　IBMリサーチ部門半導体プロセス技術のシニアマネージャJeffrey Hedrick氏は、「技術が複雑化していく中、パッドやスラリー技術における革新が重要となる。Rohm and Haasの消耗材に関する専門的ノウハウとIBMの幅広いCMPプロセス技術に関する知識を組み合わせることで、今後CMP技術が直面する課題を解決することが可能になる」と述べている。

　Rohm and Haasエレクトロニック・マテリアルズ部門CMPテクノロジー事業部Sam ディレクターShoemaker氏は、「IBMは、これまで30年以上もの間、当社にとって重要な顧客であり、また、パートナーでもあった。さらには、CMP技術を半導体製造プロセスに最初に導入したのはIBMである。それ以来、両社の連携により、今ではCMP技術は標準的なものとなっている」と述べている。

　Rohm and Haasエレクトロニック・マテリアルズ部門CTO Cathie Markham氏は、「先端プロセスにおけるCMP消耗材の開発は、非常に複雑化している。32nmおよび22nmノードにおいてCMPプロセスの開発を成功させるには、さまざまなプロセス条件におけるパッド、スラリー、およびコンディショナーの間にある相互関係を完全に理解する必要がある。Rohm and Haasは、パッド、ポリマー、スラリー、およびCMPプロセスに関する十分なノウハウを有しており、次世代CMP技術に関して開発を加速するための環境が整った」と説明した。

　この共同開発研究は、ニューヨーク州ヨークタウンハイツにあるIBMの研究施設、およびニューヨーク州立大学Albany校にあるナノテク研究開発拠点Albany NanoTech、デラウェア州ニューアークとアリゾナ州フェニックスにあるRohm and Haasの技術センターで進められる予定。