日立製作所と米IBM社は、次世代半導体のイノベーションのスピードを加速させるため、32nm以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を、2年間にわたって共同で行うことで合意したと発表した。両社は現在、企業向けサーバー製品などで協業しているが、半導体技術分野で協業するのは今回が初めて。

　今回の共同研究では、微細化によって発生するトランジスタのばらつきの特性や計測方法の向上およびデバイス物理学の理解を深めるべく、半導体デバイスおよび構造を分析する新しい評価方法を使った32nm以降の半導体に関する基礎研究に焦点をあてる。両社および日立の子会社である日立ハイテクノロジーズの技術者は、米国ニューヨーク州ヨークタウン・ハイツにあるIBMのワトソン研究所および同州アルバニーにあるニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設にて共同研究を行うという。