JSRは、22nm世代（hp32nm）以降の次世代半導体製造に適用されるダブルパターニング用のフリージング材を開発、線幅32nm加工に成功したと発表した。

　同社は、露光を2度続けエッチングする方式に必要となる材料として、新たにフリージング材を開発し、ベルギーIMECと共同で新材料の検討を進めてきた。フリージング材は、最初に形成されたレジストパターンが2回目に塗布するレジストの溶剤に溶けないように固化させるための材料で、露光を2度続けた後にエッチングすることができ、最初の露光後のエッチング工程を削減することが可能になる。

　今回の検討は、様々な企業が参加して32～22nmのロジックLSI、DRAM、不揮発性メモリーなど次世代半導体技術の研究開発を推進している「IIAP（IMEC Industrial Affiliation Program）」プログラムの一環として、IMECの設備を使用して行われた。同プラグラムでは、JSRの液浸露光用レジスト、トップコート材料、ノントップコートレジストに加え、今回開発したダブルパターニング用のフリージング材が使用され、量産レベルで使用可能なことを示唆する結果が得られたという。

　なお、今回の成果については、2月24日から米国カリフォルニア州にて開催された半導体製造のリソグラフィ技術に関する国際会議「SPIE Advanced Lithography 2008」にて発表された。