先端のSiプロセスやエンジニアリングサービスを提供している米MEARS Technologies社は、エルピーダメモリと契約を締結したことを発表した。両社は今後、MEARSのMST（Mears Silicon Technology）技術を用いて、高効率かつ高性能な半導体製造を目指すという。

　MEARSではすでに、MST技術がCMOSに有効であり、新規材料を導入することなく、全体的な半導体性能を向上させつつリーク電流を減らすなど電力消費量を大幅に削減できることを実証している。

　MEARSの創業者で社長のRobert Mears氏は、「我々の技術によって、エルピーダメモリは材料の変更や新たな製造装置や設備を導入することなく、さらなるシェア拡大や他社との差別化を実現できると信じている」とコメントしている。

　なお、MST技術は標準的なプロセスであるバルクCMOS、歪みSi、SOI、さらにはHigh-k/メタルゲートなどとも組み合わせることが可能という。