産業技術総合研究所（産総研）は2008年4月、半導体素子の微細化/高性能化を追究するとともに、微細化限界を超える新コンセプト技術の創出を目的とする「ナノ電子デバイス研究センター」を設立したと発表した。新研究センターでは、32nmあるいは22nmプロセスの技術開発を推進する。また、新コンセプト技術を創出するために「ナノエレクトロニクス イノベーション プラットフォーム（NeIP）」という研究開発設備を整備して、それをイノベーションハブとして機能させることを目指すという。

　産総研では、スーパークリーンルーム産学官連携研究棟を拠点として、半導体MIRAIプロジェクトを推進、半導体微細化技術の研究開発を行ってきた。同プロジェクトでは、ひずみシリコン技術やHigh-k（高誘電率）ゲート絶縁膜技術など、CMOS特性を高度化する取り組みを行ってきたが、トランジスタ寸法の微細化に伴って技術的な限界が近づいてきているという。そのため、これまでにない技術選択肢が求められ、ナノエレクトロニクスなど半導体以外の技術分野を包含する研究開発が重要となってきている。産総研の狙いは今回の新研究センター設立によって、これからの電子デバイス技術の研究開発を主導していくことだ。

　新研究センターでは、MIRAIプロジェクトで培われた技術を引き継ぎ、CMOSの微細化や高性能化の極限追究を推進する。高精度なデバイス試作と電気的特性評価、ナノレベルの物理計測評価解析、第一原理電子状態計算からデバイスシミュレーションまでの計算科学的解析などを総合的に行い、外部機関などとも連携してデバイス実証に結び付けたいとしている。CMOS技術をベースに、新材料や新構造のデバイスを効率的に試作し、測定データやシミュレーション結果を体系的に蓄積していくという。

　産総研は今後、CMOS極限追究のためのプロジェクトを進め、研究センターにて蓄積したナノ電子デバイスの作製技術や計測解析技術を基にNeIPを稼働させて、ナノエレクトロニクスの新原理技術の研究開発を推進していく予定だ。