米SEMATECHが主催するリソグラフィ関連フォーラム『2008 SEMATECH Litho Forum』が2008年5月、ニューヨーク州にて開催された。同フォーラムには、半導体メーカーや製造装置メーカーの技術者、研究者などが参加し、リソグラフィにおける次世代技術の候補や、それら技術の進展状況などについて議論された。

　今回のフォーラムでは、32nm以降のプロセスでのリソグラフィ候補技術として、ArF（波長：193nm）の高屈折率リソグラフィ、ダブルパターニング、極端紫外線（EUV：Extreme Ultraviolet、波長：13.5nm）リソグラフィのほか、ナノインプリント、マスクレスリソグラフィなどの代替技術が検討された。

　SEMATECHでリソグラフィ担当ディレクタを務めるMichael Lercel氏によると、「次世代リソグラフィにおいて解決すべき技術的な課題は依然として多い。その一方で、メモリーメーカーなどからは、さらなる微細化を実現するためのプロセス技術の早期開発への要求が高まっている」と述べている。

　なお、同フォーラムの開催期間中に行われた調査によると、「2013年から導入が見込まれている32nmプロセスでのリソグラフィ技術の候補としては、ArFのドライもしくは液浸リソグラフィを利用したダブルパターニングが挙げられ、22nmプロセスでの候補としてはEUVリソグラフィが有力」との結果であったという。

（Electronic News）